河北同光半导体股份有限公司地址_河北同光半导体股份有限公司地址

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≥△≤ 河北同光半导体取得专利,实现将源于生长区石墨件腐蚀引起的包裹物...金融界2024年9月8日消息,天眼查知识产权信息显示,河北同光半导体股份有限公司取得一项名为“一种低包裹物密度SiC晶体的生长装置及生长方法“,授权公告号CN117737858B,申请日期为2024年2月。专利摘要显示,本申请提供一种低包裹物密度SiC晶体的生长装置及生长方法,属于...

河北同光半导体取得超高真空碳化硅原料合成炉系统专利,由其制备的...金融界2024年8月20日消息,天眼查知识产权信息显示,河北同光半导体股份有限公司取得一项名为“超高真空碳化硅原料合成炉系统“,授权公告号CN112516916B,申请日期为2020年12月。专利摘要显示,本发明公开一种超高真空碳化硅原料合成炉系统,涉及碳化硅合成技术领域,由其制...

河北同光半导体取得改善碳化硅衬底平整度局部异常的方法专利,能够...金融界 2024 年 8 月 30 日消息,天眼查知识产权信息显示,河北同光半导体股份有限公司取得一项名为“改善碳化硅衬底平整度局部异常的方法“,授权公告号 CN117174572B,申请日期为 2023 年 9 月。专利摘要显示,一种改善碳化硅衬底平整度局部异常的方法,涉及碳化硅技术领域,尤其...

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同光半导体取得提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法专利金融界2024年11月13日消息,国家知识产权局信息显示,河北同光半导体股份有限公司取得一项名为“一种提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法”的专利,授权公告号 CN 115458428 B,申请日期为2022年9月。